Métal métallique de haut niveau 551

Une méthode pour fabriquer un dispositif semi-conducteur, le dispositif semi-conducteur comprend un corps semi-conducteur avec une surface, la surface est adjacente à la région du silicium et à la zone du matériau isolant, chaque région de silicium est dotée d'une couche supérieure de la coucheSilicon Metal 551, le métal est déposé à la surface du corps semi-conducteur, puis le corps semi-conducteur est chauffé à la température de la formation de silicide du métal dans le processus de dépôt. Ce qui est déposé, c'est le cobalt et le nickel, puis le corps semi-conducteur est chauffé à une température où se forme le silicide de cobalt ou de nickel. Afin d'éviter la croissance des silicides métalliques dans chaque partie de la zone de matériau isolant adjacente à chaque zone de silicium.

1.Afin de réduire la difficulté du processus de suivi deSilicon Metal 551Pickling, le silicium en métal a été purifié sur la base de la technologie de décapage à température ambiante mature et de la nouvelle technologie d'oxydation de l'oxygène humide. La fonction principale du décapage est d'éliminer la plupart des impuretés métalliques exposées à la surface des particules métalliques en silicium; Après l'oxydation de l'oxygène humide, le bore avec un petit coefficient de coagulation (coefficient de coagulation dans les systèmes de silicium et de silice) dans les particules se diffuse dans la silice à haute température, puis corrode pour éliminer la couche d'oxyde et les impuretés. Les expériences montrent que la méthode a un effet de purification évident sur les impuretés du bore, et le contenu des impuretés de bore est aussi faible que 4 × 10-6.

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