Détails en carbure de silicium
Premièrement, les caractéristiques matérielles de l'émeri
L'émeri, dont le nom chimique est carbure de silicium (SiC), est un composé composé de deux éléments : le silicium (Si) et le carbone (C). Dans la nature, les minéraux naturels de carbure de silicium sont très rares, c'est pourquoi la majeure partie du carbure de silicium utilisé dans l'industrie est obtenue par synthèse artificielle. L'émeri possède d'excellentes propriétés physiques et chimiques telles qu'une dureté élevée, un point de fusion élevé, une résistance à l'usure et à la corrosion, qui rendent l'émeri largement utilisé dans de nombreux domaines.
Deuxièmement, la méthode de synthèse de l'émeri
La synthèse de l'émeri s'effectue principalement en faisant réagir de la silice et du coke à haute température. Dans ce processus, le silicium présent dans la silice et le carbone présent dans le coke se combinent pour former des cristaux de carbure de silicium. La température de l'émeri synthétique atteint généralement plusieurs milliers de degrés Celsius. Il est donc nécessaire de contrôler les conditions de réaction et de garantir la qualité du produit à l'aide d'équipements et de technologies professionnels. L'émeri synthétisé peut être broyé et criblé pour obtenir des produits de granularité et de pureté différentes pour répondre aux besoins de différentes industries.
Troisièmement, le champ d'application de l'émeri
1. Industrie abrasive : l’émeri est largement utilisé comme matériau abrasif et abrasif en raison de sa dureté élevée et de sa résistance à l’usure. Il peut être utilisé pour fabriquer des outils de meulage tels que des meules, du papier de verre et des bandes abrasives, ainsi que pour meuler et polir des matériaux tels que les métaux et la céramique.
2. Industrie réfractaire : l'émeri présente les caractéristiques d'un point de fusion élevé et d'une résistance à la corrosion, il est donc également utilisé comme matière première pour la fabrication de réfractaires. Il peut résister aux températures élevées et aux environnements extrêmes et joue un rôle important dans la métallurgie, la céramique, le verre et d’autres industries.
3. Industrie des semi-conducteurs : Ces dernières années, avec le développement continu de la technologie des semi-conducteurs, l'émeri a été largement utilisé dans l'industrie des semi-conducteurs. Il peut être utilisé comme matériau de substrat pour fabriquer des dispositifs semi-conducteurs à base de silicium et améliorer les performances et la stabilité des dispositifs.
En résumé, l'émeri, en tant que matériau performant, a démontré ses avantages et ses valeurs uniques dans de nombreux domaines. Avec les progrès continus de la science et de la technologie et le développement rapide de l’industrie, les perspectives d’application de l’émeri seront plus larges.

Paramètres du carbure de silicium
| Non. | Article | 2-4H/6H-N-SiC | 3-4HN-SiC | 4-4HN-SiC | 6-4HN-SiC |
|---|---|---|---|---|---|
| 1 | Matériel | SiC de type N, carbure de silicium monocristallin de haute pureté | |||
| 2 | Polytype | 4H/6H | Monocristal 4H | ||
| 3 | Orientation des surfaces | Sur l'axe<0001>Axe de +/- 0,5 degrés<0001>inclinaison de 4/8 +/-0,5 degrés vers l'axe<11-20> | |||
| 4 | Appartement principal | <10-10> / <11-20>+/-5 degrés | |||
| 5 | Longueur à plat primaire | 15.88 +/- 1,65 mm | 22.22 +/- 3,17 mm | 32.5 +/- 2.{{}}mm | 47.5 +/- 1,5 mm |
| 6 | Longueur à plat secondaire | 8.0 +/- 1,65 mm | 11.18 +/- 1,52 mm | 18.0 +/- 2.{{}}mm | Aucun |
| 7 | Diamètre | 50.8 +/- 0,38 mm | 76.2 +/- 0,38 mm | 100.0 +/- 0,50 mm | 150.0 +/- 0,25 mm |
| 8 | Épaisseur | 330/430 +/- 25hum | 350/432 +/- 25hum | 350/500 +/- 25hum | 350/500 +/- 25hum |
| 9 | TTV | Inférieur ou égal à 15um | Inférieur ou égal à 25um | Inférieur ou égal à 35um | Inférieur ou égal à 10um |
| 10 | ARC | Inférieur ou égal à 25um | Inférieur ou égal à 35um | Inférieur ou égal à 45um | Inférieur ou égal à 60um |
| 11 | CHAÎNE | Inférieur ou égal à 25um | Inférieur ou égal à 35um | Inférieur ou égal à 45um | Inférieur ou égal à 60um |
| 12 | Surface double face | Polissage Si-face CMP, polissage optique C-face/polissage C-face CMP, polissage optique Si-face | |||
| 13 | Rugosité double face | Visage poli CMP<0.5nm Optical polish face<1.0nm | |||
| 14 | Résistivité | {{0}},013 ~ 0,028 ~ 2,5 Ω·cm (type N/P) | |||
| 15 | Densité des microtuyaux | Inférieur ou égal à 30micropipes/cm2 | Inférieur ou égal à 30micropipes/cm2 | Inférieur ou égal à 0~1~5~15~30/cm2 | Inférieur ou égal à 1 ~ 5/cm2 |
| 16 | Exclusion de bord | 1 millimètre | 2 millimètres | 3 millimètres | 3 millimètres |
| 17 | Marquage laser | Face avant/face arrière ou préférence du client | |||
| 18 | Apparence | Propreté, exempt de corps étrangers, fissures, marques de scie, éclats. | |||
| 19 | Emballer | Emballé dans une salle blanche de classe 100, 25 plaquettes Epi-ready dans une boîte multi-wafers, sauf indication contraire. | |||
| 20 | Remarques | Les spécifications du client non répertoriées ci-dessus sont également disponibles et personnalisées sur demande | |||

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