Nitrure de silicium de matériau de haut niveau

Nitrure de silicium de matériau de haut niveau

Le nitrure de silicium est un alliage obtenu en traitant du silicium de silicium, avec une teneur en silicium et azote extrêmement élevé.
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Description

Description des produits

 

Dans des conditions éloignées, la poudre de silicium peut être complètement nitride dans le processus SHS pour générernitrure de silicium, et le produit a une teneur élevée en azote et une faible teneur en oxygène, mais c'est une phase. Dans la réaction SILICON FUME SHS, une quantité appropriée de SI _3 n _4 graine doit être ajoutée; La vitesse de propagation de l'onde de combustion SHS du silicium augmente avec l'augmentation de la pression de l'azote et la diminution de la densité de remplissage des réactifs, mais elle est indépendante de la composition des réactifs et du diamètre de l'échantillon. La température des ondes de combustion a augmenté avec l'augmentation de la pression de l'azote et l'augmentation du diamètre de l'échantillon, qui était indépendante de la composition des réactifs et de la densité de remplissage.

 

Paramètres de produits

Classe N Si CA Min O min Al Min C Fe Min
Si3n 485-99 32-39 55-60 0.25 1.5 0.25 0.3 0.25

 

Image de coopération des produits

ZhenAn3

1.Nitrure de siliciumLes films ont été préparés en utilisant la technologie du dépôt de vapeur chimique plasmatique (PECVD) dans différentes conditions de dépôt (plage de température du substrat de 20 à 180 degrés et puissance RF de 10 ~ 30W), et les effets des conditions de dépôt sur les propriétés et les propriétés étanches des films de nitrure de silicium ont été étudiées. Les résultats expérimentaux montrent qu'avec l'augmentation de la température du substrat, la densité, l'indice de réfraction et le rapport SI / N des films de nitrure de silicium augmentent en conséquence, tandis que le taux de dépôt et la teneur en H diminuent en conséquence. Avec l'augmentation de la puissance RF, le taux de dépôt, la densité, l'indice de réfraction et le rapport SI / N des films de nitrure de silicium augmentent en conséquence, tandis que la teneur en H diminue en conséquence. L'expérience de perméation de vapeur d'eau montre que même si la température du substrat est réduite à 50 degrés, le film de nitrure de silicium déposé a toujours de bonnes performances imperméables. Les résultats expérimentaux montrent que les films de nitrure de silicium à basse température peuvent être appliqués efficacement à l'emballage des dispositifs d'émission de lumière organiques (OLED).

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