Méthode de synthèse à haute température pour produire du carbure de silicium
Écoulement du processus de carbure de silicium: Environnement à ultra-haute température: chauffage à plus de 2500 degrés par plasma ou arc pour obtenir une réaction instantanée. Synthèse rapide: le temps de réaction est raccourci à plusieurs heures et le SiC de haute pureté est directement généré.
Avantages: Le produit a une pureté élevée (＞ 99,9%) et une excellente structure cristalline.
Il n'y a pas de produits intermédiaires, qui conviennent à la préparation du sic nano-échelle. Inconvénients: équipement coûteux et consommation d'énergie extrêmement élevée. La technologie est difficile et difficile à appliquer à grande échelle. Application: champs haut de gamme tels que les semi-conducteurs et les revêtements optiques. Autres processus: Dépôt de vapeur chimique (CVD): Utilisé pour un film mince ou un sic monocristalle, le coût est extrêmement élevé. Méthode sol-gel: Convient aux petits lots de nano-SIC en laboratoire, et l'industrialisation est difficile.
Paramètres de carbure de silicium
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Marque déposée |
Zhenan |
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Produit |
Carbure de silicium |
| Taille des particules | Abrasif |
| Taille réfractaire | 0-1 mm 0-10 mm 0-100 mm |
Comment passer la commande
R: Acheteur Envoi Renseignement → Obtenir un cotation en carbure de silicium → Confirmation de commande → Acheteur organiser 30% de dépôt → Production démarrée lors de la réception de la dépôt → Inspection stricte pendant la production → ACCORDER DES PAYS SOLANCE → Emballage → Livraison conformément aux conditions commerciales
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